產品Q&A
一、此型濺鍍機可否採用圓筒型target與cathode，cathode的製造商有哪幾家可選擇，靶材尺寸是多少？
答：可以採用圓筒型，有3家可以選擇,靶材尺寸為O.D16.6mmm*I.D13.3mm*700mm，而使用RF Power(MgF2)的磁控源，不能使用圓筒型需採用平面型。
二、Cr/Mo Process chamber內cathode增為3個，ZnO/AZO/MgF2 chamber維持在3個，但ZnO/AZO/MgF2 chamber內MgF2鍍膜與AZO是否有汙染問題？
答：可以使用隔絕板或buffer區設計來防止污染。
三、貴公司的MgF2鍍膜採用何種方式？
答：使用RF Power方式。
四、鍍膜驗收Uniformity 可否達到≦3%？
答：可以的；不過要求小於3%會和靶材的製作有關，例如密度，金屬的平均晶粒粒徑大小，陶瓷靶的粉徑大小等都會影到薄膜的均勻性。一般我們都以<5%做為標準。
五、黃銅,磷青銅,spcc適合真空溫度為何?超過或不及這個溫度時會有何影響？
答：
(1)一般金屬成膜溫度為150-180度。不過還是要以產品的製程需求來做決定。
(2)電性、附著性、薄膜應力、結構性缺陷的影響。一般功能性鍍膜注著重的為電性和附著性，如果有要做蝕刻才要注著後者。
六、蒸鍍、濺鍍，ARC三種方法我要選用其中一種,其依據為何？比方說我要用ARC，那這個製程的優勢為何？是不是根據附著力,成膜速率，成本等等來考量？
答：
ARC一般都是鍍製硬化性厚膜才會去使用，若是只要鍍金屬薄膜使用蒸鍍和濺鍍就可以了。至於要使用那一種製程可以先依你要鍍的薄膜種類(功能性薄膜、硬化膜、光學薄膜、透明導電薄膜、裝飾鍍膜、金屬鍍膜或其它)、製程需求、產品的特性種類(玻璃、塑膠基材、平板、曲面)、薄膜品質要求、產能、成本來決定。
