真空濺鍍技術原理

真空濺鍍技術原理
「真空濺鍍」是一種於基材上沉積薄膜的真空技術,其原理是在真空腔體內以高壓放電於微量氣體(通常為氬氣)產生電漿而加速離子(氬)轟擊固體(銅)。在濺鍍過程中,將陰極裝置靶材(要鍍的膜層材料,筆電的材料為銅及不鏽鋼),而陽極上裝載待鍍物(如塑膠板),將陰極加到數百伏特電壓,陰極所加電壓相對陽極言為負,因而游離的氬離子將以高速撞擊「靶材」,將其表面的粒子打出,此過程稱為濺射(Sputtering),再沉積到被鍍的基材(筆電的塑膠外殼)上,形成一層類金屬的薄膜,使塑膠機殼外面有一層金屬薄膜來防制EMI。

真空濺鍍原理示意圖

資料來源:一銀證券編製2008/1

傳統的真空濺鍍技術的工作溫度約在150℃以上,因為溫度較高的關係,使得可加工的產品受到限制,無法應用在不耐高溫的塑膠材料上,低溫真空濺鍍可在100℃以下工作,目前技術已可以將溫度降至60℃,使得加工物件的材質已無限制,可行性大幅提高。真空濺鍍依使用之設備可分 :批次式濺鍍、連續式濺鍍。批次式濺鍍每完成一批後,需要破真空取出工件,再行放入下批工件抽成高真空,導致產能小,成本較高。而所有腔體排成一直線的多腔體的連續式濺鍍,連續將工件入料與出料,製程區域一直維持高真空,產能就大,成本較低。通常連續式濺鍍腔體數愈多,生產週期就愈短,產能就愈大。雖然連續式濺鍍的產出效率較佳,但在製程及技術上有一定困難,目前良率高的廠商並不多。